|
|
Мы в социальных сетях
YouTube 610 472
ВКонтакте 68 847
Telegram | Скидки50 953
Telegram | Новости44 996
Лысый из МТ 43 045
Яндекс.Дзен36 701
|
Подробности Snapdragon 835 накануне анонса Qualcomm на CES 201702 января 2017, 14:33
Qualcomm сообщила, что озвучит подробности нового чипсета Snapdragon 835 на выставке CES 2017, которая стартует в Лас-Вегасе уже на этой неделе. На данный момент известно, что он будет построен на 10-нм архитектуре FinFET, а разработка ведется при активной поддержке Samsung (автора первого в мире 10-нм чипа). Сегодня состоялась утечка, благодаря которой мы знаем все остальные подробности этого чипсета. Итак, нас ждет восьмиядерный CPU, построенный на энергоэффективной архитектуре Kryo 280. Она предусматривает квартет «сильных» ядер с пиковой частотой 2,45 ГГц и еще четыре ядра с заниженным энергопотреблением и частотой 1,9 ГГц. Сопровождается он графическим ускорителем Adreno 540 с поддержкой DX12, OpenGL и инструментов Vulkan, высокоскоростным сетевым модулем LTE X16, аудиочипом Qualcomm Aqstic Audio, обновленных чипом Hexagon DSP и Spectra ISP. Особенностью Snapdragon 835 стали также сниженные габариты, что позволит производителям прибавить в емкости аккумуляторной батареи при этом не жертвуя толщиной. Ожидается, что первым устройством на новом флагмане станет Samsung Galaxy S8, а затем настанет черед Xiaomi Mi6. Через несколько дней все это будет озвучено официально. 
 © Артур Лучкин. Mobiltelefon По материалам videocardz.com Новости по теме:
|
Обзор Honor X9b
Обзор Realme C67
Обзор Redmi Watch 4
Обзор Tecno Pova 6 Pro 5G
Обзор vivo V30
Обзор Realme 12 Pro и 12 Pro+ |