Представлен 30 нм 64 Гбит NAND чип флэш-памяти


Лидер среди компаний, производящих чипы памяти, Samsung Electronics, объявили об успешном завершении разработки первого в мире 64-гигабитного чипа NAND флэш-памяти по 30-нанометровой технологии.



К флэш-памяти, стремительно завоевывающей позиции на рынке запоминающих устройств, предъявляются все более и более серьезные требования и производителям жизненно необходимо изобретать все лучшие модели. В этом компания Samsung, несомненно, преуспела. Благодаря новой разработке станет возможно производство карт памяти на 128 гигабайт. В процессе работы над новым чипом была использована 30-нанометровая технология, что позволило существенно уменьшить размеры устройства. Коммерциализация разработки намечена на 2009 год, а ожидаемая прибыль от нового производства может составить 20 миллиардов долларов за первые три года (2009 - 2011).














Vivo


Обзор iQOO 12 и iQOO 12 Pro

vivo v30

Обзор Honor X9b

Обзор itel A70

Обзор Xiaomi Redmi Buds 5 Pro

Обзор Realme C67

Обзор Redmi Watch 4