Samsung Galaxy S6 получит внутренний накопитель UFS 2.0


Корейский ресурс ETNews сообщил, что Samsung Galaxy S6 получит внутреннее хранилище нового поколения UFS (Universal Flash Storage) 2.0. Данная технология обеспечивает скорость передачи данных на уровне SSD (твердотельных накопителей), при этом потребление энергии значительно ниже, чем у чипов eMMC. Использование UFS 2.0 должно решить проблемы ускоренной разрядки батареи, а также сильного нагрева. Данный стандарт был разработан Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC), организация была основана в 2007 году компаниями Samsung, Nokia и Micron. Над вторым поколением UFS также работали Toshiba и SK Hynix. Помимо южнокорейской компании, данную технологию также планирует использовать Xiaomi.



Samsung Galaxy S6 получит внутренний накопитель UFS 2.0









Обзор Honor 400

Обзор OnePlus 13T

Обзор iQOO Z10

Обзор Samsung Galaxy A36

Обзор Realme 14 5G

Обзор FossiBot F107 Pro

Обзор Vivo V50