Samsung Galaxy S6 получит внутренний накопитель UFS 2.0


Корейский ресурс ETNews сообщил, что Samsung Galaxy S6 получит внутреннее хранилище нового поколения UFS (Universal Flash Storage) 2.0. Данная технология обеспечивает скорость передачи данных на уровне SSD (твердотельных накопителей), при этом потребление энергии значительно ниже, чем у чипов eMMC. Использование UFS 2.0 должно решить проблемы ускоренной разрядки батареи, а также сильного нагрева. Данный стандарт был разработан Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC), организация была основана в 2007 году компаниями Samsung, Nokia и Micron. Над вторым поколением UFS также работали Toshiba и SK Hynix. Помимо южнокорейской компании, данную технологию также планирует использовать Xiaomi.



Samsung Galaxy S6 получит внутренний накопитель UFS 2.0







iqoo


Обзор Samsung Galaxy A56

title

Обзор POCO F7 Pro и F7 Ultra

Полгода с лучшим рюкзаком на каждый день — Bellroy Transit Workpack

Обзор Honor Magic 7

Обзор Realme 14 Pro+

Обзор Huawei MatePad 11.5 PaperMatte Edition 2025