Samsung Galaxy S6 получит внутренний накопитель UFS 2.012 ноября 2014, 22:08
Корейский ресурс ETNews сообщил, что Samsung Galaxy S6 получит внутреннее хранилище нового поколения UFS (Universal Flash Storage) 2.0. Данная технология обеспечивает скорость передачи данных на уровне SSD (твердотельных накопителей), при этом потребление энергии значительно ниже, чем у чипов eMMC. Использование UFS 2.0 должно решить проблемы ускоренной разрядки батареи, а также сильного нагрева. Данный стандарт был разработан Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC), организация была основана в 2007 году компаниями Samsung, Nokia и Micron. Над вторым поколением UFS также работали Toshiba и SK Hynix. Помимо южнокорейской компании, данную технологию также планирует использовать Xiaomi.
По материалам ETNews |
Обзор Google Pixel 9 Pro XLОбзор Xiaomi Redmi Note 14, 14 Pro и 14 Pro+Обзор Honor X7cОбзор iQOO Z9Обзор Meizu Note 21 и Note 21 ProОбзор Samsung Galaxy S24 FEОбзор Red Magic Gaming Tablet Pro |