Samsung Galaxy S6 получит внутренний накопитель UFS 2.0


Корейский ресурс ETNews сообщил, что Samsung Galaxy S6 получит внутреннее хранилище нового поколения UFS (Universal Flash Storage) 2.0. Данная технология обеспечивает скорость передачи данных на уровне SSD (твердотельных накопителей), при этом потребление энергии значительно ниже, чем у чипов eMMC. Использование UFS 2.0 должно решить проблемы ускоренной разрядки батареи, а также сильного нагрева. Данный стандарт был разработан Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC), организация была основана в 2007 году компаниями Samsung, Nokia и Micron. Над вторым поколением UFS также работали Toshiba и SK Hynix. Помимо южнокорейской компании, данную технологию также планирует использовать Xiaomi.



Samsung Galaxy S6 получит внутренний накопитель UFS 2.0









Обзор Google Pixel 9 Pro XL

Обзор Xiaomi Redmi Note 14, 14 Pro и 14 Pro+

Обзор Honor X7c

Обзор iQOO Z9

Обзор Meizu Note 21 и Note 21 Pro

Обзор Samsung Galaxy S24 FE

Обзор Red Magic Gaming Tablet Pro