Galaxy S6 и S6 Edge получили самую быструю память среди флагманов


Новые флагманы Samsung Galaxy S6 и Galaxy S6 Edge оснащены памятью UFS 2.0 NAND Flash, которая отличается невероятно высокой скоростью обмена данными. Для сравнения, память eMMC 5.1 достигает скорости передачи данных 250 МБ/сек при считывании и 125 МБ/сек при записи. Память UFS 2.0 HS-G2 почти втрое превосходит эти результаты, а максимальный результат модификации HS-G3 – 1,45 ГБ/сек. Понятное дело, что память формата UFS 2.0 потребляет больше энергии, но взамен обеспечивает более быструю работу устройства. В рамках MWC 2015 представители портала PhoneArena.com проверили скорость работы новых флагманов Samsung с помощью приложения AndroBench. Результаты оказались впечатляющими: Galaxy S6 и Galaxy S6 Edge на несколько порядков обходят прошлогодние флагманы крупных производителей, вроде HTC One (M8), LG G3, Sony Xperia Z3 и Google Nexus 6. Скорость последовательного считывания данных достигла 314,87 МБ/сек, а скорость последовательной записи данных – 139,08 МБ/сек. Ни один другой смартфон на сегодняшний день не может предложить что-то похожее.



Samsung Galaxy S6 и Galaxy S6 Edge получили самую быструю память


Samsung Galaxy S6 и Galaxy S6 Edge получили самую быструю память




    © Андрей Тынок. Mobiltelefon

    По материалам phonearena.com

Новости по теме:



Теги:  samsung galaxy s6 galaxy s6 edge mwc 2015



iqoo


Обзор Samsung Galaxy A56

title

Обзор Huawei MatePad 11.5 PaperMatte Edition 2025

Обзор Honor 400 Lite

Обзор OPPO Find X8 Ultra

Honor Pad X9a – ультралайт за копейки

Обзор Realme GT 7