Galaxy S6 и S6 Edge получили самую быструю память среди флагманов


Новые флагманы Samsung Galaxy S6 и Galaxy S6 Edge оснащены памятью UFS 2.0 NAND Flash, которая отличается невероятно высокой скоростью обмена данными. Для сравнения, память eMMC 5.1 достигает скорости передачи данных 250 МБ/сек при считывании и 125 МБ/сек при записи. Память UFS 2.0 HS-G2 почти втрое превосходит эти результаты, а максимальный результат модификации HS-G3 – 1,45 ГБ/сек. Понятное дело, что память формата UFS 2.0 потребляет больше энергии, но взамен обеспечивает более быструю работу устройства. В рамках MWC 2015 представители портала PhoneArena.com проверили скорость работы новых флагманов Samsung с помощью приложения AndroBench. Результаты оказались впечатляющими: Galaxy S6 и Galaxy S6 Edge на несколько порядков обходят прошлогодние флагманы крупных производителей, вроде HTC One (M8), LG G3, Sony Xperia Z3 и Google Nexus 6. Скорость последовательного считывания данных достигла 314,87 МБ/сек, а скорость последовательной записи данных – 139,08 МБ/сек. Ни один другой смартфон на сегодняшний день не может предложить что-то похожее.



Samsung Galaxy S6 и Galaxy S6 Edge получили самую быструю память


Samsung Galaxy S6 и Galaxy S6 Edge получили самую быструю память




    © Андрей Тынок. Mobiltelefon

    По материалам phonearena.com

Новости по теме:



Теги:  samsung galaxy s6 galaxy s6 edge mwc 2015





Камера Huawei Mate 70 Pro

Обзор Samsung Galaxy S25 Ultra

Обзор Honor Pad V9

Обзор смарт-часов Xiaomi Watch S4

Обзор Honor Magic 7 Pro против Magic 6 Pro

Обзор Tecno Spark Go 1

Обзор Honor MagicBook X16 Plus