Qualcomm последовательно улучшает свою технологию Quick Charge, позволяющую быстро заряжать аккумуляторы смартфонов с чипсетами Snapdragon, делая зарядку всё более и более быстрой. Как сообщает портал FudZilla со ссылкой на свои источники, Quick Charge 4.0, который дебютирует в чипсете Snapdragon 830 в начале следующего года, увеличит мощность зарядных устройств до 20 Вт. При этом напряжение может достигать 20 В, а сила тока (при напряжении 5 В) – 5,6 А. Самая мощная упоминаемая FudZilla конфигурация – 9 В и 4 А, то есть 36 Вт, но основной рабочей мощностью, судя по её статье, станет 28 Вт.

Как же Qualcomm намерена справляться с угрозой взрыва аккумулятора при такой высокой мощности? Секрет в технологии INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage – «Умные Переговоры для Оптимального Вольтажа», если переводить дословно), которая постоянно подстраивает напряжение (с шагом 0,2 В) и силу тока под текущие способности батареи по потреблению электричества. Гибкая настройка, как ожидает Qualcomm, позволит сделать зарядку быстрой и безопасной одновременно.

© Илья Нерыбов. Mobiltelefon

По материалам fudzilla.com

Новости по теме:

• Qualcomm подтверждает скорый анонс OnePlus 3T на Snapdragon 821
• Анонс Snapdragon 653, 626 и 427 – переход чипсетов Qualcomm на LTE X9
• Xiaomi Mi5S Plus – первый смартфон с Qualcomm Clear Sight-камерой
• Qualcomm начинает патентную войну против Meizu в Европе и США
• Дата анонса Samsung Galaxy S8

Теги:  snapdragon 830 qualcomm

snapdragon 830 qualcomm