Samsung Galaxy S6 получит внутренний накопитель UFS 2.0


Корейский ресурс ETNews сообщил, что Samsung Galaxy S6 получит внутреннее хранилище нового поколения UFS (Universal Flash Storage) 2.0. Данная технология обеспечивает скорость передачи данных на уровне SSD (твердотельных накопителей), при этом потребление энергии значительно ниже, чем у чипов eMMC. Использование UFS 2.0 должно решить проблемы ускоренной разрядки батареи, а также сильного нагрева. Данный стандарт был разработан Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC), организация была основана в 2007 году компаниями Samsung, Nokia и Micron. Над вторым поколением UFS также работали Toshiba и SK Hynix. Помимо южнокорейской компании, данную технологию также планирует использовать Xiaomi.



Samsung Galaxy S6 получит внутренний накопитель UFS 2.0









Обзор OnePlus Ace 5 Pro

Обзор vivo X200 Pro mini

Обзор Huawei nova 13 Pro

Обзор Tecno Spark 30 Bumblebee

Камера Huawei Mate 70 Pro

Обзор Tecno Spark Go 1

Обзор смарт-часов Xiaomi Watch S4