|
|
Мы в социальных сетях
YouTube 647 345
ВКонтакте 89 187
Telegram | Скидки75 523
Telegram | Новости51 718
Лысый из МТ 97 151
Яндекс.Дзен39 901
|
Silicon Motion показала 512 ГБ сверхбыстрой памяти для смартфонов09 марта 2017, 19:15
Компания Silicon Motion Technology анонсировала контроллеры памяти стандарта UFS 2.1 для флагманских смартфонов недалёкого будущего. Разработанные с использованием проприетарного варианта электрического стандарта MIPI M-PHY, архитектуры с низким энергопотреблением, усовершенствованной LDPC и 3D NAND, они обеспечивают производительность, более чем втрое превышающую уровень чипов, используемых в современных флагманах (оценка Silicon Motion). Скорость произвольной записи/чтения составляет 50 000/40 000 IOPS (операций ввода-вывода в секунду).  Компания предлагает чипы ёмкостью до 512 ГБ и обещает, что они будут обладать низким энергопотреблением. По мнению производителя, технология UFS будет доминировать в мобильном сегменте в ближайшие пять лет, постепенно вытесняя eMMC, а её преимущества особенно очевидны при высокой ёмкости накопителя – 128 ГБ и больше. Производство анонсированных сегодня модулей памяти начнётся до конца года. © Илья Нерыбов. Mobiltelefon По материалам Silicon Motion |
Обзор Honor 400
Обзор OnePlus 13T
Обзор iQOO Z10
Обзор Samsung Galaxy A36
Обзор Realme 14 5G
Обзор FossiBot F107 Pro
Обзор Vivo V50 |
