Компания Samsung объявляет о старте массового производства 4-Гбит чипов мобильной памяти DDR3, главной особенностью которых стало низкое энергопотребление благодаря 20-нм технопроцессу. По словам компании, при изготовлении такого чипа используются новейшие технологии двойного шаблона и атомно-слоеного осаждения, что в будущем позволит перейти на DRAM-память класса 10 нм.

Кроме того, корейцы хвастаются энергоэффективностью производства, которая на 30% выше, чем DDR3 по 25-нм технопроцессу, и вдвое больше, чем DDR3 по 30-нм. Новая память может быть применена в следующем флагмане Galaxy Note 4, или же в версии Galaxy S5 с чипсетом Exynos, слухи о котором продолжают бродить по Сети.

© Артур Лучкин. Mobiltelefon

По материалам Samsung


• Samsung Galaxy Core Advanced – лучший смартфон для слабовидящих;
• Российская презентация Samsung Galaxy S5 пройдет 25 марта;
• Samsung опровергает свою причастность к «сургутскому скандалу»;
• Samsung Galaxy Note 3 подвёл Леброна Джеймса;
• Samsung Galaxy S5 выйдет в коричневом и розовом в Японии;
• Samsung запатентовала смартфон-кинотеатр.