|
|
Мы в социальных сетях
YouTube 626 395
ВКонтакте 70 141
Telegram | Скидки58 076
Telegram | Новости39 933
Лысый из МТ 54 159
Яндекс.Дзен38 101
|
Samsung начала производство 4-Гбит энергоэффективной памяти DDR313 марта 2014, 22:59
Компания Samsung объявляет о старте массового производства 4-Гбит чипов мобильной памяти DDR3, главной особенностью которых стало низкое энергопотребление благодаря 20-нм технопроцессу. По словам компании, при изготовлении такого чипа используются новейшие технологии двойного шаблона и атомно-слоеного осаждения, что в будущем позволит перейти на DRAM-память класса 10 нм.  Кроме того, корейцы хвастаются энергоэффективностью производства, которая на 30% выше, чем DDR3 по 25-нм технопроцессу, и вдвое больше, чем DDR3 по 30-нм. Новая память может быть применена в следующем флагмане Galaxy Note 4, или же в версии Galaxy S5 с чипсетом Exynos, слухи о котором продолжают бродить по Сети.
По материалам Samsung 
|
Обзор Samsung Galaxy A56 
Полгода с лучшим рюкзаком на каждый день — Bellroy Transit Workpack
Обзор POCO F7 Pro и F7 Ultra
Обзор Honor Magic 7
Обзор Realme 14 Pro+
Обзор Huawei MatePad 11.5 PaperMatte Edition 2025 |