Samsung начала производство 4-Гбит энергоэффективной памяти DDR3


Компания Samsung объявляет о старте массового производства 4-Гбит чипов мобильной памяти DDR3, главной особенностью которых стало низкое энергопотребление благодаря 20-нм технопроцессу. По словам компании, при изготовлении такого чипа используются новейшие технологии двойного шаблона и атомно-слоеного осаждения, что в будущем позволит перейти на DRAM-память класса 10 нм.



Samsung анонсирует старт производства 4-Гбит памяти DDR3


Кроме того, корейцы хвастаются энергоэффективностью производства, которая на 30% выше, чем DDR3 по 25-нм технопроцессу, и вдвое больше, чем DDR3 по 30-нм. Новая память может быть применена в следующем флагмане Galaxy Note 4, или же в версии Galaxy S5 с чипсетом Exynos, слухи о котором продолжают бродить по Сети.










Обзор 8849 Tank 4 Pro

Обзор Xiaomi Redmi Turbo 4 Pro

Обзор HUAWEI MatePad Pro 12,2" (2025) – лучший в семье PaperMatte!

Обзор Ninkear A15 Pro

Обзор Samsung Galaxy A36

Обзор Realme 14 5G

Обзор iQOO Z10