Мы в социальных сетях
YouTube
610 472
 ВКонтакте
68 847
 Telegram | Скидки
50 953
 Telegram | Новости
44 996
 Лысый из МТ
43 045
 Яндекс.Дзен
36 701

Причиной зависаний и ребутов iPhone 6 Plus 128 ГБ может быть железо

04 ноября 2014, 18:26
 

Некоторое время назад в Сети появились сообщения о неизвестной проблеме, которая приводит к сбоям в работе iPhone 6 Plus в топовой комплектации со 128 ГБ внутренней памяти. В частности, в ряде случаев происходит зависание аппарата, а в ряде других неполадка и вовсе приводит к циклической перезагрузке (boot loop, знакомый многим из тех, кто впервые берется самостоятельно прошивать смартфон). Некоторым из них пришлось менять iPhone 6 Plus 4 раза. Если вы уже ругаете программистов Apple, ответственных за iOS 8.1, не спешите. Ряд отраслевых источников сообщает, что проблема может быть аппаратной. Все дело в контроллере памяти. Дело в том, что Apple использует не самую стабильную память TLC NAND Flash (трехуровневая). Она позволяет хранить больше информации, чем SLC (одноуровневая) или MLC (мультиуровневая) панель, но больше подвержена ошибкам и медленнее упомянутых конкурентов. Зато она дешевле и именно это могло подтолкнуть Apple к такому выбору (хотя большинство прошлых iPhone оснащались MLC NAND Flash).





В пользу этих догадок говорит множество отзывов о нестабильной работе Samsung SSD 840 и 840 EVO, построенных на TCL NAND Flash. Если эта информация подтвердится, Apple может отозвать всю продукцию, что была продана до сих пор. Сама компания эту информацию не комментирует.








Vivo


Обзор Honor Magic 6 Pro
vivo v30

Обзор Tecno Pova 6 Pro 5G

Обзор Яндекс Станция Миди

Обзор vivo V30

Обзор Realme 12 Pro и 12 Pro+

Обзор Redmi Note 13 4G и Note 13 Pro 4G