Samsung анонсировала 6 ГБ 10-нм оперативной памяти для смартфонов22 мая 2016, 11:39
На пресс-конференции в Шэньчжене Samsung анонсиовала свой самый продвинутый модуль мобильной оперативной памяи. DRAM-чип, использующий технологию LPDDR4, выполнен по техпроцессу 10 нм и имеет объём 6 ГБ. Это первый в ассортименте компании 6-ГБ чип оперативной памяти (нынешние смартфоны с таким количеством ОЗУ используют по четыре модуля ёмкостью 1,5 ГБ – такое решение Samsung анонсировала ещё в прошлом году). Скорее всего, новинка будет использована Samsung в её грядущем флагманском фаблете Samsung Galaxy Note 6. По слухам, он также получит 5,8" Quad HD-экран, 256 ГБ встроенной памяти, процессор Qualcomm Snapdragon 823 и аккумулятор ёмкостью 4000 мАч. © Илья Нерыбов. Mobiltelefon По материалам thenextrex.com Новости по теме: |
![]() Обзор Realme GT 7 Pro![]() Обзор Red Magic 10 Pro+![]() Обзор OPPO Find X8 Pro![]() Неделя с ASUS ROG Ally X![]() Обзор Acer Disco, Twist и Jive![]() Обзор Infinix InBook Air XL442![]() Обзор Honor X9c![]() |