Samsung анонсировала 6 ГБ 10-нм оперативной памяти для смартфонов


На пресс-конференции в Шэньчжене Samsung анонсиовала свой самый продвинутый модуль мобильной оперативной памяи. DRAM-чип, использующий технологию LPDDR4, выполнен по техпроцессу 10 нм и имеет объём 6 ГБ. Это первый в ассортименте компании 6-ГБ чип оперативной памяти (нынешние смартфоны с таким количеством ОЗУ используют по четыре модуля ёмкостью 1,5 ГБ – такое решение Samsung анонсировала ещё в прошлом году). Скорее всего, новинка будет использована Samsung в её грядущем флагманском фаблете Samsung Galaxy Note 6. По слухам, он также получит 5,8" Quad HD-экран, 256 ГБ встроенной памяти, процессор Qualcomm Snapdragon 823 и аккумулятор ёмкостью 4000 мАч.







© Илья Нерыбов. Mobiltelefon


По материалам thenextrex.com


Новости по теме:



Теги:  samsung galaxy note 6





Обзор Samsung Galaxy S25 Ultra

Обзор Honor Magic 7 Pro против Magic 6 Pro

Обзор Honor Pad V9

Обзор смарт-часов Xiaomi Watch S4

Обзор Honor MagicBook X16 Plus

Обзор Xiaomi Redmi Note 14 Pro+

Обзор Trouver X4 Pro — турбина, ИИ и бак для воды