Официально: Qualcomm и Samsung работают над Snapdragon 835


Недавно мы сообщали, что новое поколение флагманского чипсета Qualcomm может получить неожиданную нумерацию. Теперь эта информация подтверждена официально – флагманы первой половины 2017 года будут построены на базе Snapdragon 835. Помимо этого, подтвердила свое активное участие в проекте Samsung, в октябре представившая первый в мире 10-нм FinFET-чип для SoC нового поколения. Он обеспечит 27% прирост производительности и 40% в показателях энергоэффективности. Кроме того, чипсет станет на треть меньше по размерам, а это, по словам Samsung, даст дополнительные возможности по установке более емких аккумуляторов. Обе стороны высказали свое удовлетворение достигнутыми договоренностями о партнерстве, назвав их важным шагом в развитии микроэлектронных технологий. Релиз Snapdragon 835 состоится в первой половине 2017 года, но конкретные технические характеристики пока не называются, упоминая лишь то, что он станет развитием Snapdragon 820/821, на базе которых сегодня работает более 200 устройств. По слухам, Snapdragon 835 получит 8 ядер Kryo с пиковой частотой 2,6 ГГц, графический чип Adreno 540 и технологию быстрой зарядки Quick Charge 4.0.



Samsung начала массовое производство 10-нм FinFET-чипа для Galaxy S8




© Артур Лучкин. Mobiltelefon


По материалам Samsung


Новости по теме:



Теги:  samsung qualcomm snapdragon 835 snapdragon 820 snapdragon 821





Обзор Google Pixel 9 Pro XL

Обзор Xiaomi Redmi Note 14, 14 Pro и 14 Pro+

Обзор Honor X7c

Обзор iQOO Z9

Обзор Samsung Galaxy S24 FE

Обзор Meizu Note 21 и Note 21 Pro

Обзор Red Magic Gaming Tablet Pro