Официально: Qualcomm и Samsung работают над Snapdragon 835


Недавно мы сообщали, что новое поколение флагманского чипсета Qualcomm может получить неожиданную нумерацию. Теперь эта информация подтверждена официально – флагманы первой половины 2017 года будут построены на базе Snapdragon 835. Помимо этого, подтвердила свое активное участие в проекте Samsung, в октябре представившая первый в мире 10-нм FinFET-чип для SoC нового поколения. Он обеспечит 27% прирост производительности и 40% в показателях энергоэффективности. Кроме того, чипсет станет на треть меньше по размерам, а это, по словам Samsung, даст дополнительные возможности по установке более емких аккумуляторов. Обе стороны высказали свое удовлетворение достигнутыми договоренностями о партнерстве, назвав их важным шагом в развитии микроэлектронных технологий. Релиз Snapdragon 835 состоится в первой половине 2017 года, но конкретные технические характеристики пока не называются, упоминая лишь то, что он станет развитием Snapdragon 820/821, на базе которых сегодня работает более 200 устройств. По слухам, Snapdragon 835 получит 8 ядер Kryo с пиковой частотой 2,6 ГГц, графический чип Adreno 540 и технологию быстрой зарядки Quick Charge 4.0.



Samsung начала массовое производство 10-нм FinFET-чипа для Galaxy S8




© Артур Лучкин. Mobiltelefon


По материалам Samsung


Новости по теме:



Теги:  samsung qualcomm snapdragon 835 snapdragon 820 snapdragon 821



iqoo


Обзор Samsung Galaxy A56

title

Обзор Huawei MatePad 11.5 PaperMatte Edition 2025

Обзор Honor 400 Lite

Обзор OPPO Find X8 Ultra

Honor Pad X9a – ультралайт за копейки

Обзор Realme GT 7