Snapdragon 835 прошел тесты AnTuTu и ожидаемо вырвался в лидеры


Флагманский чипсет Qualcomm для устройств следующего года создается при непосредственной поддержке Samsung. Ожидается, что Snapdragon 835 получит восемь ядер Kryo с частотой до 2,2 ГГц и графический чип Adreno 540. В Сети были опубликованы первые результаты прогона прототипа в бенчмарке AnTuTu. Ожидаемо, девайс на новом чипсете с QHD-экраном и 4/64 ГБ системной памяти вырвался на вершину рейтинга с показателем 181 434 балла, что почти на 10 тыс. опережает результат А10 Fusion, установленного в iPhone 7 и iPhone 7 Plus. Однако главный вопрос заключается в том, справится ли 10-нм чип с перегревом, чего не смог сделать Snapdragon 810 (восьмиядерный флагман прошлого года). Ответы будут получены уже будущей весной, когда в продажу начнут поступать первые устройства на Snapdragon 835. По предварительным данным, ими станут Samsung Galaxy S8 и Xiaomi Mi6.



Snapdragon 835 прошел тесты AnTuTu и ожидаемо вырвался в лидеры




© Артур Лучкин. Mobiltelefon


По материалам AnTuTu


Новости по теме:



Теги:  qualcomm snapdragon 835 samsung a10 fusion



iqoo


Обзор Samsung Galaxy A56

title

Обзор Huawei MatePad 11.5 PaperMatte Edition 2025

Обзор Honor 400 Lite

Обзор OPPO Find X8 Ultra

Honor Pad X9a – ультралайт за копейки

Обзор Realme GT 7