|
|
Мы в социальных сетях
YouTube 626 395
ВКонтакте 70 141
Telegram | Скидки58 076
Telegram | Новости39 933
Лысый из МТ 54 159
Яндекс.Дзен38 101
|
Подробности Snapdragon 835 накануне анонса Qualcomm на CES 201702 января 2017, 14:33
Qualcomm сообщила, что озвучит подробности нового чипсета Snapdragon 835 на выставке CES 2017, которая стартует в Лас-Вегасе уже на этой неделе. На данный момент известно, что он будет построен на 10-нм архитектуре FinFET, а разработка ведется при активной поддержке Samsung (автора первого в мире 10-нм чипа). Сегодня состоялась утечка, благодаря которой мы знаем все остальные подробности этого чипсета. Итак, нас ждет восьмиядерный CPU, построенный на энергоэффективной архитектуре Kryo 280. Она предусматривает квартет «сильных» ядер с пиковой частотой 2,45 ГГц и еще четыре ядра с заниженным энергопотреблением и частотой 1,9 ГГц. Сопровождается он графическим ускорителем Adreno 540 с поддержкой DX12, OpenGL и инструментов Vulkan, высокоскоростным сетевым модулем LTE X16, аудиочипом Qualcomm Aqstic Audio, обновленных чипом Hexagon DSP и Spectra ISP. Особенностью Snapdragon 835 стали также сниженные габариты, что позволит производителям прибавить в емкости аккумуляторной батареи при этом не жертвуя толщиной. Ожидается, что первым устройством на новом флагмане станет Samsung Galaxy S8, а затем настанет черед Xiaomi Mi6. Через несколько дней все это будет озвучено официально. 
 © Артур Лучкин. Mobiltelefon По материалам videocardz.com Новости по теме: |
Обзор Google Pixel 9 Pro XL
Обзор Xiaomi Redmi Note 14, 14 Pro и 14 Pro+
Обзор Honor X7c
Обзор iQOO Z9
Обзор Meizu Note 21 и Note 21 Pro
Обзор Samsung Galaxy S24 FE
Обзор Red Magic Gaming Tablet Pro |