|
|
Мы в социальных сетях
YouTube 555 432
ВКонтакте 78 728
Telegram | Скидки47 527
Telegram | Новости33 233
Яндекс.Дзен26 942
Twitter 8193
|
Подробности Snapdragon 835 накануне анонса Qualcomm на CES 201702 января 2017, 14:33
Qualcomm сообщила, что озвучит подробности нового чипсета Snapdragon 835 на выставке CES 2017, которая стартует в Лас-Вегасе уже на этой неделе. На данный момент известно, что он будет построен на 10-нм архитектуре FinFET, а разработка ведется при активной поддержке Samsung (автора первого в мире 10-нм чипа). Сегодня состоялась утечка, благодаря которой мы знаем все остальные подробности этого чипсета. Итак, нас ждет восьмиядерный CPU, построенный на энергоэффективной архитектуре Kryo 280. Она предусматривает квартет «сильных» ядер с пиковой частотой 2,45 ГГц и еще четыре ядра с заниженным энергопотреблением и частотой 1,9 ГГц. Сопровождается он графическим ускорителем Adreno 540 с поддержкой DX12, OpenGL и инструментов Vulkan, высокоскоростным сетевым модулем LTE X16, аудиочипом Qualcomm Aqstic Audio, обновленных чипом Hexagon DSP и Spectra ISP. Особенностью Snapdragon 835 стали также сниженные габариты, что позволит производителям прибавить в емкости аккумуляторной батареи при этом не жертвуя толщиной. Ожидается, что первым устройством на новом флагмане станет Samsung Galaxy S8, а затем настанет черед Xiaomi Mi6. Через несколько дней все это будет озвучено официально. 
 © Артур Лучкин. Mobiltelefon По материалам videocardz.com Новости по теме:
|
Обзор Realme Watch 3 Pro
Обзор iQOO Neo 7
Realme 10 Pro против 10 Pro+
Обзор RedmiBook 15
Обзор vivo T1
Обзор Tecno Phantom X2 и X2 Pro |