|
|
Мы в социальных сетях
YouTube 626 395
ВКонтакте 70 141
Telegram | Скидки58 076
Telegram | Новости39 933
Лысый из МТ 54 159
Яндекс.Дзен38 101
|
Технические подробности флагманского чипсета Snapdragon 84524 июля 2017, 16:57
Несмотря на то, что Snapdragon 835 в этом году распространяется вяло, а его истинный потенциал будет раскрыт только во второй половине года, прогресс не стоит на месте, и Qualcomm уже активно работает над преемником Snapdragon 845. Информация о нем (а заодно и о Snapdragon 440) неожиданно появилась на сайте производителя, в документах, связанных с патентными спорами с Apple, но вскоре была удалена. Более информативными оказались китайские источники, которые опубликовали некоторые технические подробности чипа. Согласно этим данным, Snapdragon 845 будет выполнен по 7-нм технологии TSMC, получит 8 ядер Cortex-A75 + Cortex-A55, видеоускоритель Adreno 630, модем LTE X20 с поддержкой 5G, а первым смартфоном на его основе станет Samsung Galaxy S9. Удивляет информация о применяемых ядрах, ведь в Snapdragon 835 используются ядра Kryo 200, являющиеся собственной кастомизацией ARM-архитектуры. Также с сомнением следует воспринимать данные о первенстве Galaxy S9 – если Samsung не будет участвовать в разработке этого чипа, у нее не будет особого преимущества перед конкурентами, а значит, первым может стать любой А-бренд или даже китайский производитель. Так или иначе, анонс состоится ближе к концу года. К тому времени многое может измениться.  © Артур Лучкин. Mobiltelefon По материалам @quandt | mydrivers.com Новости по теме:
|
Обзор Samsung Galaxy A56 
Полгода с лучшим рюкзаком на каждый день — Bellroy Transit Workpack
Обзор POCO F7 Pro и F7 Ultra
Обзор Honor Magic 7
Обзор Realme 14 Pro+
Обзор Huawei MatePad 11.5 PaperMatte Edition 2025 |