В Китае впервые начнет производить DRAM-память собственной разработки13 июня 2019, 19:50
На фоне открытого конфликта США и Китая, жертвой которого стала Huawei, компании из различных стран мира начали кампанию по минимизации влияния «технологий американского происхождения» на свою работу. Одним из таких производителей стала Changxin Memory Technologies, которая к концу года производство DRAM-памяти собственной разработки, чем создаст новое предложение на рынке, где Samsung, Hynix и Micron занимают 95% рынка. На первых порах объемы планируются небольшие (около 10 000 планок в месяц), но сам факт запуска проекта является показательным, ведь китайские компании прежде не были представлены на этом рынке. Причем задача Changxin не просто заполнить нишу, а соответствовать уровню «большой тройки». Первопричиной же называют угрозу попадания в черный список, как это было с Fujian Jinhua Integrated Circuit Co, которую власти США обвинили в краже интеллектуальной собственности. Правда, полностью обезопаситься от влияния США компании не получится: производство будет зависеть от американских поставщиков оборудования, однако защитит активы от обвинений в краже интеллектуальной собственности. В дальнейшем Changxin ожидает крупный приток инвестиций, которые позволят нарастить производство и укрепить свою независимость от американских партнеров. На фоне этого, другие китайские производители занимают вопросом производства собственной NAND-флэш-памяти, которые бросят вызов Samsung, Toshiba, Western Digital и Micron. Возможно, одним из клиентов этих производителей станет и Huawei, когда разберется с патентными вопросами на производстве Kirin. © Артур Лучкин. Mobiltelefon По материалам Nikkei Новости по теме: |
![]() Камера Huawei Mate 70 Pro![]() Обзор Samsung Galaxy S25 Ultra![]() Обзор Honor Pad V9![]() Обзор смарт-часов Xiaomi Watch S4![]() Обзор Honor Magic 7 Pro против Magic 6 Pro![]() Обзор Tecno Spark Go 1![]() Обзор Honor MagicBook X16 Plus![]() |