Samsung Galaxy S25 могут получить самую быструю память21 марта 2024, 07:23
Флагманские смартфоны последних двух лет комплектуются накопителями стандарта UFS 4.0, скорости которого достигают 4 ГБ/с. Однако индустрия не стоит на месте и уже в следующем 2025 году Samsung намерена запустить новое поколение памяти "UFS 4.0 4-lane CS", скорости которой вырастут вдвое: вплоть до 8 ГБ/с. Известно об этом стало из дорожной карты подразделения Samsung Semiconductor, официально опубликованного днём ранее. Учитывая, что ранее флагманы Samsung уже получали новейшую памяти раньше всех на рынке, нечто подобное можно ждать и в серии Galaxy S25, ожидаемой в начале 2025 года. Упоминается в графике и стандарт UFS 5.0, способный превысить планку в 10 ГБ/с, однако запуск его состоится очень нескоро, в 2027 году. © Владимир Ковалёв. Mobiltelefon По материалам mp.weixin.qq.com Новости по теме: |
Обзор Google Pixel 9 Pro XLОбзор Xiaomi Redmi Note 14, 14 Pro и 14 Pro+Обзор Honor X7cОбзор iQOO Z9Обзор Meizu Note 21 и Note 21 ProОбзор Samsung Galaxy S24 FEОбзор Red Magic Gaming Tablet Pro |