Samsung Galaxy S25 могут получить самую быструю память


Флагманские смартфоны последних двух лет комплектуются накопителями стандарта UFS 4.0, скорости которого достигают 4 ГБ/с. Однако индустрия не стоит на месте и уже в следующем 2025 году Samsung намерена запустить новое поколение памяти "UFS 4.0 4-lane CS", скорости которой вырастут вдвое: вплоть до 8 ГБ/с. Известно об этом стало из дорожной карты подразделения Samsung Semiconductor, официально опубликованного днём ранее. Учитывая, что ранее флагманы Samsung уже получали новейшую памяти раньше всех на рынке, нечто подобное можно ждать и в серии Galaxy S25, ожидаемой в начале 2025 года. Упоминается в графике и стандарт UFS 5.0, способный превысить планку в 10 ГБ/с, однако запуск его состоится очень нескоро, в 2027 году.

Samsung Galaxy S25 могут получить самую быструю память


Samsung Galaxy S25 могут получить самую быструю память




© Владимир Ковалёв. Mobiltelefon


По материалам mp.weixin.qq.com


Новости по теме:



Теги:  samsung galaxy s25 ufs 4.0 4-lane cs





Обзор Xiaomi Band 9

Обзор iQOO Neo 9S Pro+

Обзор Infinix GT 20 Pro

Обзор Google Pixel 9

Обзор Huawei MatePad 11.5"S PaperMatte

Обзор OnePlus Pad 2

Обзор робота-пылесоса Dreame D9 Max Gen 2 с LDS навигацией