|
|
Мы в социальных сетях
YouTube 626 395
ВКонтакте 70 141
Telegram | Скидки58 076
Telegram | Новости39 933
Лысый из МТ 54 159
Яндекс.Дзен38 101
|
Samsung начала массовое производство 10-нм FinFET-чипа для Galaxy S817 октября 2016, 13:50
В начале следующего года состоится премьера Samsung Galaxy S8, на который корейская компания возлагает большие надежды в связи с сокрушительным ударом по амбициям бренда, связанным с Galaxy Note 7. По слухам, новинка получит 4К-дисплей, двойную камеру, откажется от кнопки «Домой» в пользу технологии размещения дактилоскопического сенсора под стеклом, 6 ГБ оперативной памяти и Grace UX. Сегодня Samsung официально объявила о старте массового производства первого в мире 10-нм FinFET-чипа, который ляжет в основу чипсета Exynos 8895 для Galaxy S8. По словам руководителей корейского производителя, это является лучшей демонстрацией лидерства компании в сфере передовых технологий. Новый чип предлагает продвинутую 3D-структуру транзисторов с улучшениями по всем направлениям в сравнении с 14-нм аналогом – до 30% экономии пространства при 27% приросте производительности и 40% энергоэффективности. Вместе с тем, это лишь часть плана по распространению технологии в 2017 году – вслед за 10LPE, во второй половине года планируется производство второго поколения, 10LPP. Первые 10-нм чипы Samsung появятся в коммерческих образцах мобильных девайсов в начале будущего года. Очевидно, одним из первых будет и Galaxy S8 с Exynos 8895.  © Артур Лучкин. Mobiltelefon По материалам Samsung Новости по теме:
|
Обзор Xiaomi Redmi Turbo 4 Pro 
Обзор Realme GT 7
Обзор 8849 Tank 4 Pro
Honor Pad X9a – ультралайт за копейки
Обзор HUAWEI MatePad Pro 12,2" (2025) – лучший в семье PaperMatte!
Обзор Ninkear A15 Pro |