|
|
Мы в социальных сетях
YouTube 626 395
ВКонтакте 70 141
Telegram | Скидки58 076
Telegram | Новости39 933
Лысый из МТ 54 159
Яндекс.Дзен38 101
|
Samsung начала массовое производство 10-нм FinFET-чипа для Galaxy S817 октября 2016, 13:50
В начале следующего года состоится премьера Samsung Galaxy S8, на который корейская компания возлагает большие надежды в связи с сокрушительным ударом по амбициям бренда, связанным с Galaxy Note 7. По слухам, новинка получит 4К-дисплей, двойную камеру, откажется от кнопки «Домой» в пользу технологии размещения дактилоскопического сенсора под стеклом, 6 ГБ оперативной памяти и Grace UX. Сегодня Samsung официально объявила о старте массового производства первого в мире 10-нм FinFET-чипа, который ляжет в основу чипсета Exynos 8895 для Galaxy S8. По словам руководителей корейского производителя, это является лучшей демонстрацией лидерства компании в сфере передовых технологий. Новый чип предлагает продвинутую 3D-структуру транзисторов с улучшениями по всем направлениям в сравнении с 14-нм аналогом – до 30% экономии пространства при 27% приросте производительности и 40% энергоэффективности. Вместе с тем, это лишь часть плана по распространению технологии в 2017 году – вслед за 10LPE, во второй половине года планируется производство второго поколения, 10LPP. Первые 10-нм чипы Samsung появятся в коммерческих образцах мобильных девайсов в начале будущего года. Очевидно, одним из первых будет и Galaxy S8 с Exynos 8895.  © Артур Лучкин. Mobiltelefon По материалам Samsung Новости по теме: |
Обзор OnePlus Ace 5 Pro
Обзор vivo X200 Pro mini
Обзор Huawei nova 13 Pro
Обзор Tecno Spark 30 Bumblebee
Камера Huawei Mate 70 Pro
Обзор Tecno Spark Go 1
Обзор смарт-часов Xiaomi Watch S4 |