|
|
Мы в социальных сетях
YouTube 555 432
ВКонтакте 78 728
Telegram | Скидки47 527
Telegram | Новости33 233
Яндекс.Дзен26 942
Twitter 8193
|
Samsung первой запустила производство 3-нм чипов с заменой FinFET30 июня 2022, 19:08
Samsung является одним из значимых игроков на рынке полупроводников и главным конкурентом TSMC по части разработки архитектуры. Напомним, недавно тайваньцы представили свою 3-нм технологию и даже рассказали о 2-нм аналоге. Ну а Samsung объявила о старте производства своего видения 3-нм архитектуры с новой технологией Gate-All-Around (GAA), позволяющей обойти ограничения FinFET от сегодняшних топовых чипов. Это обеспечит достойный прирост производительности (за счет увеличения допустимого тока) и энергоэффективности (за счет снижения напряжения). По словам Samsung, первое поколение 3-нм архитектуры обеспечит +23% к производительности, +45% к энергоэффективности и 16% экономии пространства в сравнении с 5-нм аналогом. Второе поколение доведет эти цифры до 30, 50 и 35% соответственно.  Также корейцы сообщили о первом применении технологии транзисторных нанолистов, которые приходят на замену нанопроволоке. Ее преимущество - более широкие каналы, которые становятся предпосылкой к росту производительности, энергоэффективности и уровня оптимизации. Сперва ее попробовали на высокопроизводительных вычислительных системах с последующим переносом на мобильные чипсеты. Вероятно, первые реальные проекты на 3-нм архитектуре Samsung мы увидим в конце этого года в исполнении Qualcomm и/или Apple.  © Артур Лучкин. Mobiltelefon По материалам Samsung Новости по теме:
|
Обзор Realme Watch 3 Pro
Обзор iQOO Neo 7
Realme 10 Pro против 10 Pro+
Обзор RedmiBook 15
Обзор vivo T1
Обзор Tecno Phantom X2 и X2 Pro |
