Apple изменит технологию памяти в 128-ГБ iPhone


Некоторые владельцы 128-ГБ iPhone 6 и iPhone 6 Plus (предварительный обзор) жалуются на зависания и циклические перезагрузки. Выдвигались две версии того, почему они могут происходить - излишек софта (500 и более установленных программ - неслабое испытание даже для iOS) или аппаратные проблемы с модулями постоянной памяти. Вторая версия была выдвинута Business Korea, теперь этот же сайт сообщает, что Apple приняла решение сменить технологию памяти в 128-ГБ iPhone 6 и 6 Plus с TLC NAND на MLC NAND.





TLC NAND - тип NAND-памяти, позволяющий хранить в одной ячейке три бита данных (TLC расшифровывается как Triple-Level Cell, то есть трёхуровневая ячейка). Такая память может хранить втрое больше данных, чем SLC (Single-Level Cell ("одноуровневая ячейка"), каждая ячейка хранит один бит), и в полтора раза больше данных, чем MLC (Multi-Level Cell ("многоуровневая ячейка"), хранящая два бита в каждой ячейке). Вариант TLC является самым медленным из всех, что и приводит к неполадкам. Ранее Apple использовала MLC NAND во всех 16-ГБ и большинстве 64-ГБ iPhone, но проблемы вынудили компанию перейти на применение MLC NAND в абсолютно всех iPhone 6 и 6 Plus.










Обзор Xiaomi Band 9

Обзор iQOO Neo 9S Pro+

Обзор Google Pixel 9

Обзор Infinix GT 20 Pro

Обзор OPPO Reno 12 F и OPPO Reno 12 Pro

Обзор Sony Xperia 1 VI

Обзор Huawei MatePad 11.5"S PaperMatte